近日，苏州高新区同理想汽车举行签约仪式，理想汽车功率半导体研发及生产基地正式落户高新区。
此次落户的理想汽车功率半导体研发及生产基地，是由理想汽车与国内半导体龙头企业三安光电共同出资组建苏州斯科半导体公司，主要专注于第三代半导体碳化硅车规芯片模组的研发及生产。
该项目将于2022年6月中旬在苏州高新区启动厂房建设，年内竣工后进入设备装调，预计2023年5月启动样品试制，2024正式投产后逐步形成年产240万只半桥生产能力。
随着新能源汽车高速发展，此前采用较多的硅（Si）基材料基本已逼近其物理极限，如工作温度、电压阻断能力、正向导通压降、器件开关速度等，尤其在高频和高功率领域更显示出其局限性。为此，需要新的材料来替代。
作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）材料被认为是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景，碳化硅功率器件可使新能源汽车的系统效率更高、重量更轻及结构更加紧密，有助于节省成本以及续航里程的提升。
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