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国产车企第一次!传比亚迪将自建碳化硅生产线

比亚迪

比亚迪汉 企业供图

碳化硅(SiC)电力电子器件将替代IGBT——这是英飞凌、罗姆等国际知名企业一致观点。而比亚迪已经开始布局。

据国内媒体报道,比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示,比亚迪车规级的IGBT已经走到5代,碳化硅MOSFET已经走到3代,第4代正在开发当中。目前在规划自建SiC产线,预计到明年有自己的产线。

提到SiC大家可能有些陌生,碳化硅(SiC)其实是一种广泛使用的老牌工业材料,1893年开始大规模生产,至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅。

而在新能源汽车领域,碳化硅主要用于动力控制单元。目前主流车厂仍然使用IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片),但特斯拉、比亚迪已经在 Model 3、汉EV车型上开始使用Sic MOSFET(碳化硅功率场效应晶体管)。

值得一提的是,汉EV也是国内首款批量搭载Sic MOSFET组件的车型。

相比于IGBT,碳化硅(SiC)是一个更先进的做控制器的电力电子芯片,频率、效率可以做到很高,体积可以非常小。

研究显示,SiC的功率损耗较IGBT下降了87%。结合功率半导体在整车中的能量损耗占比数据可以得出,仅仅是将IGBT替换为SiC,就可提高整车续航里程10%左右,这对于极其在意续航能力的电动车来说受益匪浅。

比亚迪在半导体行业布局较早,早在2005年就成立了IGBT团队,并于2009年推出首款自主研发IGBT芯片,打破国外企业的技术垄断。

目前,比亚迪已研发出SiC MOSFET。按照计划比亚迪公布的计划,预计到2023年,其旗下电动车将实现碳化硅功率半导体IGBT的全面替代,整车性能在现有基础上再提升10%。

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